Перегляд за автором "Бобренко, Ю.Н."

Результати 1-6 з 6

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

Бобренко, Ю.Н.; Комащенко, В.Н.; Ярошенко, Н.В.; Шереметова, Г.И.; Атдаев, Б.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, ...
Измеритель мощности излучения в диапазонах УФ-А, УФ-В, УФ-С и их комбинаций

Бобренко, Ю.Н.; Колежук, К.В.; Комащенко, В.Н.; Шереметова, Г.И.; Ярошенко, Н.В.; Майстренко, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)

Разработан прибор для измерения мощности УФ-радиации в различных областях УФ-спектра на основе тонкопленочных гетеропереходов типа p-Cu1,8S/·n-(ZnSxSe1-x)CdSe.
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶

Колежук, К.В.; Комащенко, В.Н.; Шереметова, Г.И.; Бобренко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических ...
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени

Бобренко, Ю.Н.; Шереметова, Г.И.; Семикина, Т.В.; Ярошенко, Н.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Изучены спектральные, вольт-фарадные и частотные характеристики поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶, перспективных для использования в ультрафиолетовых сенсорах пламени.
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Бобренко, Ю.Н.; Ярошенко, Н.В.; Шереметова, Г.И.; Семикина, Т.В.; Атдаев, Б.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х ...
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS

Бобренко, Ю.Н.; Павелец, С.Ю.; Семикина, Т.В.; Шереметова, Г.И.; Ярошенко, Н.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет ...

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Бобренко, Ю.Н."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Бобренко, Ю.Н."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис